×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
武汉大学 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [2]
2016 [2]
2015 [1]
2013 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
专题:武汉大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effects of out-of-plane strains and electric fields on the electronic structures of graphene/MTe (M = Al, B) heterostructures
期刊论文
NANOSCALE, 2019, 卷号: 11, 期号: 29
作者:
Zhang, Dingbo
;
Hu, Yue
;
Zhong, Hongxia
;
Yuan, Shengjun
;
Liu, Chang
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Effects of out-of-plane strains and electric fields on the electronic structures of graphene/MTe (M = Al, B) heterostructures
期刊论文
Nanoscale, 2019, 卷号: 11, 期号: 29
作者:
Zhang, Dingbo
;
Hu, Yue
;
Zhong, Hongxia
;
Yuan, Shengjun
;
Liu, Chang
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Leakage Current Mechanism of InN-Based Metal-Insulator-Semiconductor Structures with Al2O3as Dielectric Layers
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1
作者:
Wang, X.
;
Zhang, G.Z.
;
Xu, Y.
;
Gan, X.W.
;
Chen, C.
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Leakage Current Mechanism of InN-Based Metal-Insulator-Semiconductor Structures with Al2O3 as Dielectric Layers
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 卷号: 11
作者:
Wang, X.
;
Zhang, G. Z.
;
Xu, Y.
;
Gan, X. W.
;
Chen, C.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/05
InN
Al2O3
MIS
Negative differential resistance in graphene nanoribbon superlattice field-effect transistors
期刊论文
MICRO & NANO LETTERS, 2015, 卷号: 10, 期号: 8
作者:
Chang, Sheng
;
Zhao, Lei
;
Lv, Yawei
;
Wang, Hao
;
Huang, Qijun
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/05
graphene
superlattices
nanoribbons
field effect transistors
ab initio calculations
negative differential resistance
graphene nanoribbon superlattice field-effect transistors
two-terminal nanoscale graphene structures
numerical analysis
gate voltages
Z-type GNSL FET
transmission coefficient
ab-initio calculations
energy levels
gate control effect
energy-level localisation
heterojunction-like explanation
semiconductor device
C
Electrical source of surface plasmon polaritons based on hybrid Au-GaAs QW structures
期刊论文
NANOSCALE, 2013, 卷号: 5, 期号: 18
作者:
Li, Jing
;
Wei, Hong
;
Shen, Hao
;
Wang, Zhuoxian
;
Zhao, Zhensheng
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/05
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace