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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：暨南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Physics-based modeling of gate-leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors 会议论文 Kyoto, Japan, July 6, 2016 - July 8, 2016 作者:  Ma, Xiaoyu[1];  Yu, Fei[1];  Deng, Wanling[1];  Huang, Junkai[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/17 Physics-based Modeling of Gate-leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 会议论文 Ryukoku Univ, Kyoto, JAPAN, JUL 06-08, 2016 作者:  Ma, Xiaoyu[1];  Yu, Fei[1];  Deng, Walling[1];  Huang, Junkai[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/17