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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型 期刊论文 中国科学技术大学学报, 2018, 卷号: 第48卷, 页码: 75-81 作者:  常红;  杨菲;  孙桂金;  柯导明 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/17 SOI  MOSFE  短沟道效应  电势  半解析模型   Design of a novel double doping polysilicon gate MOSFET 期刊论文 Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 卷号: Vol.31, 页码: 229-234 作者:  Xu,Hui-Fang;  Wang,Jia-Yu;  Xu,Jian-Bin;  Dai,Yue-Hua;  Zhao,Yuan-Yang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SOI MOSFET  SIMULATION  VOLTAGE   一维势阱并伴有自旋轨道耦合的输运* 期刊论文 赣南师范学院学报, 2009, 卷号: 第3期, 页码: 52-54 作者:  李国锋 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/18 量子势阱  SOI耦合  自旋翻转  平面波近似   亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究 成果 2008 主要完成人:  高珊;  陈军宁;  柯导明 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/19 伏安特性宏模型  数值模拟   A quasi-two-dimensional threshold voltage model for fully depleted SOI LDMOS 期刊论文 2008 International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing, WiCOM 2008, 2008 作者:  Chen, JN [ 1 ];  By:Wu, XL [ 1 ];  Ke, DM [ 1 ] Book Group Author:IEEE 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/24 Analysis of self-heating effect and breakdown characteristics in partial SOI LDMOS with multi silicon windows 期刊论文 ASICON 2007 - 2007 7th International Conference on ASIC Proceeding, 2007, 页码: 1237-1240 作者:  Junning,Chen;  Miao,Fang;  Daoming,Ke;  Shan,Gao 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24 SOI横向功率器件耐压结构的研究 会议论文 0000-00-00 00:00:00 作者:  刘文清;  张保华 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/22 A Quasi-Two-Dimensional Threshold Voltage Model for Fully Depleted SOI LDMOS 会议论文 大连, 0000-00-00 00:00:00 作者:  Wu Xiu-long;  Chen Jun-ning;  Ke Dao-ming 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/22 SOI  LDMOS  Threshold  voltage  Quasi-two  dimensional  approach