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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dislocation bending in GaN/step-graded (Al,Ga)N/AlN buffer layers on Si(111) investigated by STM and STEM 期刊论文 PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 2018, 卷号: 98, 期号: 34, 页码: 3072-3085 作者:  Zhang, Lei;  Portz, Verena;  Schnedler, Michael;  Jin, Lei;  Wang, Yuhan 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/11 Dislocation bending  step-graded (Al  Ga)N/AlN  cross-section scanning  tunnelling microscopy  nitrides on silicon   Development of preparation of the functional thin films by pulsed laser deposition 期刊论文 Surface review and letters, 2005, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 597-604 作者:  Zhao YF;  Chen CZ;  Chen LB;  Bao QH 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/03 pulsed laser deposition (PLD)  functional thin film  preparation  application  BUFFER LAYERS  CARBON-FILMS  L-MBE  ABLATION  SUPERLATTICES  GROWTH  OXIDE  DEVICES  GAAS  ZNO