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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：自动化研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Collection of charge in NMOS from single event effect 期刊论文 IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2016, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 1-8 作者:  Wang, Jingqiu;  Lin, Fujiang;  Wang, Donglin;  Song, Wenna;  Liu, Li 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/09/30 Single Event Effect  Ultra Deep Sub-micron  Double Exponential Transient Current Model  Multi-dimensional   基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文 工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者:  刘丽 收藏  |  浏览/下载：214/0  |  提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅  KFZ加固  单粒子翻转  静态随机存储器  silcon-on-insulator(SOI)  radiation hardness  sigle event upset(SEU)  static random access memory(SRAM)