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上海微系统与信息技... [36]
内容类型
期刊论文 [36]
发表日期
2012 [4]
2010 [1]
2008 [1]
2006 [2]
2005 [8]
2004 [3]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760
Yu, W
;
Zhang, B
;
Zhao, QT
;
Buca, D
;
Hartmann, JM
;
Luptak, R
;
Mussler, G
;
Fox, A
;
Bourdelle, KK
;
Wang, X
;
Mantl, S
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/04/17
Hole mobility
quantum well (QW)
SiGe
strained Si (sSi)
Terahertz Frequency Response of Electrons in a Single-walled Zigzag Carbon Nanotube
期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2012, 卷号: 60, 期号: 8, 页码: 1263-1266
Wang, C
;
Cao, JC
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浏览/下载:90/0
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提交时间:2013/04/22
Carbon nanotube
Terahertz
Mobility
Cutoff frequency
Model-Based Prediction of the Plasma Oscillation Excitation Response Characteristics of a High-Electron Mobility Transistor-Based Terahertz Photomixer with the Cap Region
期刊论文
JOURNAL OF COMPUTATIONAL AND THEORETICAL NANOSCIENCE, 2012, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 549-554
Chen, Y
;
He, J
;
Liang, HL
;
Ma, Y
;
Chen, Q
;
Su, YM
;
He, HY
;
Chan, MS
;
Cao, JC
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2013/04/22
Terahertz Photomixer
HEMT
Analytical Model
Plasma Excitation
Two Dimensional Gas (2DEG)
Model-Based Prediction of the Plasma Oscillation Excitation Response Characteristics of a High-Electron Mobility Transistor-Based Terahertz Photomixer with the Cap Region
期刊论文
JOURNAL OF COMPUTATIONAL AND THEORETICAL NANOSCIENCE, 2012, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 549-554
Chen, Y
;
He, J
;
Liang, HL
;
Ma, Y
;
Chen, Q
;
Su, YM
;
He, HY
;
Chan, MS
;
Cao, JC
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
Chemistry
Materials Science
Physics
Physics
Multidisciplinary
Nanoscience & Nanotechnology
Multidisciplinary
Applied
Condensed Matter
Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H104-H108
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Liu, XY
;
Du, XF
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Chu, PK
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
N-MOSFETS
SILICON
FABRICATION
TECHNOLOGY
LAYERS
RELAXATION
ELECTRON
SIMOX
SOI
0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术(英文)
期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 03
王庆学
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
HEMT
terahertz
导纳
响应率
Effect of magnetic field on the terahertz radiation detection in high electron mobility transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2657-2660
Ma, MR
;
Chen, YL
;
Wang, C
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
RESONANT DETECTION
TIME MECHANISMS
QUANTUM-WELLS
PLASMA-WAVES
SUBTERAHERTZ
OSCILLATORS
FLUID
Hot-electron dynamics and terahertz generation in GaN quantum wells in the streaming transport regime
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2006, 卷号: 73, 期号: 19, 页码: 195326-195326
Lu,JT
;
Cao,JC
;
Feng,SL
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2011/12/17
MONTE-CARLO-SIMULATION
TRANSIT-TIME RESONANCE
GROUP-III NITRIDES
2-DIMENSIONAL ELECTRONS
PHONON-SCATTERING
BULK GAN
MOBILITY
HETEROSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
FIELD
Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Luo, SH
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Lin, Q
;
Chu, PK
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT
STRAINED-SI
DIFFUSION
OXIDATION
GERMANIUM
SILICON
ALLOYS
Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: 51921-51921
Jin, B
;
Wang, X
;
Chen, J
;
Cheng, XL
;
Chen, ZJ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
SI N-MOSFETS
LAYER TRANSFER
SUBSTRATE
ELECTRON
SI1-XGEX
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