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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of device-grade silicon-on-insulator material from appropriate matches of low oxygen implantation dose and acceleration energy 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2003, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2001-2010 Chen, M; Wang, X; Chen, J; Dong, YM; Yi, WB; Liu, XH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 OXIDATION ITOX PROCESS  BURIED OXIDE LAYERS  SIMOX WAFERS  ION-IMPLANTATION  TEMPERATURE  SEPARATION   Thermochemical process occurring in PLD-derived SiC films during vacuum annealing 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2002, 卷号: 193, 期号: 1-4, 页码: 204-209 Wang, YX; He, HP; Wang, LW; Liu, D; Tang, HG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  SILICON-CARBIDE  LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  OXIDATION  SUBSTRATE  INTERFACE  GROWTH  TEMPERATURE