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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier 会议论文 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Tang ZY(唐兆云);  Zhang Y(张瑜);  Zou XQ(邹兴奇);  Chen GX(陈国星) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/12 Metal Floating Gate Memory Device with SiO2/HfO2 Dual-layer as Engineered Tunneling Barrier 期刊论文 Electron Device Letters, 2014 作者:  Han YL(韩宇龙);  Chen GX(陈国星);  Huo ZL(霍宗亮);  Jin L(靳磊);  Li XK(李新开) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/04/15 A metal/Al2O3/ZrO2/SiO2/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application 外文期刊 2010 作者:  Zhang, MH;  Liu, M;  Long, SB;  Wang, Q;  Liu, J 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Floating-gate  Layer  Devices