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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文 作者:  Li CZ(李诚瞻);  Tang YD(汤益丹);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Yang CY(杨成樾) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/14 Study of Temperature-Dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers 期刊论文 Materials Science Forum, 2018 作者:  Xu SD(徐少东);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Liu XY(刘新宇);  Tang YD(汤益丹) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/19 Study of Temperature-dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers 会议论文 作者:  Liu XY(刘新宇);  Dong SX(董升旭);  Xu SD(徐少东);  Tang YD(汤益丹);  Bai Y(白云) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/07/20 Channel Hot-Carrier Degradation Characteristics and Trap Activities of High-k/Metal Gate nMOSFETs 会议论文 作者:  Wang WW(王文武);  Luo WC(罗维春);  Yang H(杨红) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/10/30 Resistance switching of Au-implanted-ZrO2 film for nonvolatile memory application 外文期刊 2008 作者:  Liu, Q;  Guan, WH;  Long, SB;  Liu, M;  Zhang, S 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Fabrication and charging characteristics of MOS capacitor structure with metal nanocrystals embedded in gate oxide 外文期刊 2007 作者:  Guan, WH;  Long, SB;  Liu, M;  Li, ZG;  Hu, Y 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Atomic-force Microscopy  Silicon Nanocrystals  Si-nanocrystals  Voltage Measurements  Memory  Storage  Retention  Mechanisms  Traps