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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Source-Field-Plated β-Ga2O3 MOSFET with Record Power Figure of Merit of 50.4 MW/cm2 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Yuanjie Lv;  Xingye zhou;  shibing Long;  Xubo Song;  Yuangang Wang 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/04/18