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| 包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US10128244, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2017-05-11
作者: 朱慧珑 ; 魏星
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| 一种GaN基功率电子器件及其制备方法 专利
专利号: US10062775, 申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2017-10-26
作者: 王鑫华; 刘新宇; 黄森; 赵超; 王文武
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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05
作者: 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博; 周华杰; 梁擎擎
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| Investigation of spatial charge distribution and electrical dipole in atomic layer deposited Al2O3 on 4H-SiC 期刊论文
J Physics D: Applied Physics, 2016
作者: Wang XL(王晓磊)
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| Effect of Mo capping layers thickness on the perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFeB based top magnetic tunnel junction structure 期刊论文
Chin. Phys. B, 2016
作者: Zhong HC(钟汇才)
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| Synthesis of sub-millimeter Bi-/multi-layer graphene by designing a sandwiched structure using copper foils 期刊论文
Applied Physics Letter, 2016
作者: Jia KP(贾昆鹏)
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9431504, 申请日期: 2016-08-30, 公开日期: 2016-03-24
作者: 赵治国; 陆智勇; 张永奎; 朱慧珑; 殷华湘
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| A Novel IGBT Structure With Floating N-Doped Buried Layer in P-base to Suppress Latch-Up 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2016
作者: Tian XL(田晓丽); Lu SJ(卢烁今); Teng Y(腾渊); Shen QX(沈千行); Zhang GY(张广银)
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| 半导体结构及其制造方法 专利
专利号: US9397007, 申请日期: 2016-07-19, 公开日期: 2014-07-10
作者: 杨达; 钟汇才; 梁擎擎; 赵超
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| Bulk FinFETs with body spacers for improving fin height variation 期刊论文
Solid-State Electronics, 2016
作者: Wei X(魏星); Zhu HL(朱慧珑); Zhang YB(张严波); Zhao C(赵超)
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