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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序  一种有源区金属与终端区形成电连接的版图 专利 申请日期: 2013-03-18, 作者:  朱阳军;  陆江;  褚为利;  吴振兴 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/09/29 砷化镓PIN二极管的非线性等效电路及其应用 专利 专利号: CN101520813, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-09-02, 2010-11-26 作者:  黄杰;  董军荣;  杨浩;  张海英;  吴茹菲 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究 期刊论文 电子显微学报, 2008, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 6，364-369 作者:  刘海华;  段晓峰;  徐秋霞 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/27 应变硅  场效应晶体管  有限元方法  大角度会聚束电子衍射