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| SiC MOS器件中SiC材料应力对SiO2/SiC界面的影响机理 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 王世海
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| 基于新型高k介质及高迁移率沟道材料的电荷俘获型存储器研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 侯朝昭
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/09/05 |
| 一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者: 崔虎山; 项金娟 ; 贺晓彬; 杨涛; 李俊峰
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
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| 形成纳米线阵列的方法 专利
专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06
作者: 洪培真; 徐秋霞; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 朱慧珑
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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法 专利
专利号: CN201610033601.1, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2016-06-15
作者: 孟令款; 徐秋霞; 闫江
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| 大高宽比纳米级金属结构的制作方法 专利
专利号: CN201610407163.0, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-11-09
作者: 李海亮; 史丽娜; 牛洁斌; 王冠亚; 谢常青
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| 赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法 专利
专利号: CN201510226906.X, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2015-09-09
作者: 卢年端; 李泠; 刘明; 高南; 徐光伟
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