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一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 专利
专利号: CN201010531161.5, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2012-05-23
作者:  罗家俊;  韩郑生;  刘刚;  赵发展;  刘梦新
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检测读取操作对临近单元干扰的方法 专利
申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2012-11-20
作者:  杨诗洋;  龙爽;  陈岚;  陈巍巍
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