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新疆生态与地理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
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Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 4
Gao
;
Yu
;
Ren
;
Liu
;
Wang
;
Sun
;
Cui
;
Bo1
;
Xuefeng1
;
Diyuan1
;
Gang3
;
Yiyuan1
;
Jing1
;
Jiangwei1
;
2
;
2
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2
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4
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4
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提交时间:2011/08/19
Drain current - Electric breakdown - Experiments - Field effect transistors - Ionizing radiation - Irradiation - Radiation effects - Threshold voltage - Annealing behavior - Annealing time - Bias conditions - Breakdown voltage - Drain bias voltage - Electrical parameter - N-channel - On-state resistance - Preirradiation - Total dose - Total dose effect - Total ionizing dose effects - VDMOS device - VDMOS devices
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