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苏州纳米技术与纳米仿... [5]
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期刊论文 [5]
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2016 [3]
2012 [1]
2011 [1]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:
Shi, YJ
;
Huang, S
;
Bao, QL
;
Wang, XH
;
Wei, K
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/03/11
The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6
作者:
Jahn, U
;
Musolino, M
;
Lahnemann, J
;
Dogan, P
;
Garrido, SF
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/11
Integrated microfluidic aptasensor for mass spectrometric detection of vasopressin in human plasma ultrafiltrate
期刊论文
ANALYTICAL METHODS, 2016, 卷号: 8, 期号: 26
作者:
Yang, J
;
Zhu, J
;
Pei, R(裴仁军)
;
Oliver, JA
;
Landry, DW
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/03/11
Strain relaxation and optical properties of etched In0.19Ga0.81N nanorod arrays on the GaN template
期刊论文
Chin. Phys. B, 2012, 卷号: 21, 期号: 8
作者:
Wang Jian-Feng (王建峰)
;
Yang Hui (杨辉)
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2013/01/16
ELECTRONIC STRUCTURE
MAGNETIC
OPTICAL PROPERTIES
Improved tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/AlOx/CoFeB magnetic tunnel junctions
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 26
作者:
Xu, K (徐科)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/08/24
TEMPERATURE
GA1-XMNXAS
TRANSPORT
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(GA
MN)AS
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