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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis of dark current dependent upon threading dislocations in Ge/Si heterojunction photodetectors 期刊论文 MICROELECTRONICS INTERNATIONAL, 2012, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 136-140 作者:  Wei, Y;  Cai, XY;  Ran, JZ;  Yang, JH 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25 Electric current  Sensors  Ge/Si heterojunction photodetectors  Threading dislocation  Dark current