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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAs-on-insulator fabricated via ion-cut in epitaxial GaAs /Ge substrate 会议论文 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014, Guilin, China, October 28, 2014 - October 31, 2014 作者:  Chang, Yongwei;  Chen, Da;  Di, Zengfeng;  Zhang, Miao;  Yu, Wenjie 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2017/01/20 Semiconducting gallium  Bonding  Chemical bonds  Etching  Gallium arsenide  Germanium  Molecular beam epitaxy  Silicon oxides  Silicon wafers  Wafer bonding  Annealing temperatures  Bulk substrates  Chemical etching  Dose implantation  Epitaxial GaAs  High-crystalline quality  Room temperature bonding  Sacrificial layer