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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth mode and surface reconstruction of GaN(000(1)over-bar) thin films on 6H-SiC(000(1)over-bar) 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 页码: S157 Xue, QZ; Xue, QK; Kuwano, S; Nakayama, K; Sakurai, T 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HOMOEPITAXIAL GROWTH  6H-SIC(0001) SURFACE  LASER-DIODES  GAN  MORPHOLOGY  SUBSTRATE  GAN(0001)  POLARITY  HYDROGEN   Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2000, 卷号: 367, 期号: 1-2, 页码: 149 Xue, QK; Xue, QZ; Kuwano, S; Sakurai, T; Ohno, T; Tsong, IST; Qiu, XG; Segawa, Y 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION  6H-SIC(0001) SURFACES  ATOMIC-STRUCTURE  GAN(0001) SURFACES  LATTICE POLARITY  0001 SURFACES  LASER-DIODES  GROWTH  RECONSTRUCTION  MORPHOLOGY