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兰州理工大学 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2021 [7]
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发表日期:2021
专题:兰州理工大学
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Facile synthesis of BaMoO4 and BaMoO4/BaWO4 heterostructures with type-I band arrangement and enhanced photoluminescence properties
期刊论文
ADVANCED POWDER TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 4186-4197
作者:
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2022/03/01
BaMoO4
BaMoO4/BaWO4 phosphors
Polyacrylamide gel method
Blue emission
Type-I band arrangement
Effects of vertical strain and electric field on the electronic properties and interface contact of graphene/InP vdW heterostructure
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 198
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
;
Xue, Hongtao
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2021/10/14
Graphene
InP
Heterostructure
Vertical strain
Electric field
Schottky barrier
The Electronic Characteristic and Optical Properties of Doped Single-Walled Carbon Nanotubes from a First-Principles Study
期刊论文
NANO, 2021, 卷号: 16, 期号: 8
作者:
Wang, K.
;
Cui, Z.
;
Li, L.
;
Lu, X.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/10/14
Single-walled carbon nanotubes
doping
electronic structure
optical properties
first-principles
A four-band perfect absorber based on high quality factor and high figure of merit of monolayer molybdenum disulfide
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70, 期号: 12
作者:
Jiang Li-Ying
;
Yi Ying-Ting
;
Yi Zao
;
Yang Hua
;
Li Zhi-You
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/10/14
critical coupling
molybdenum disulfide
perfect absorption
visible light spectrum range
Tunable multi-band terahertz absorber based on composite graphene structures with square ring and Jerusalem cross
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 25
作者:
Zhang, Baohe
;
Qi, Yunping
;
Zhang, Ting
;
Zhang, Yu
;
Liu, Weiming
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2021/10/14
Graphene metasurface
Terahertz perfect absorber
Angle-independent
Tunable
Turning electronic performance and Schottky barrier of graphene/β-Si3N4 (0001) heterostructure by external strain and electric field
期刊论文
Vacuum, 2021, 卷号: 188
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Luo, Jianhua
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2021/06/03
Optoelectronic devices
Schottky barrier diodes
Van der Waals forces
Electronic performance
Electronics devices
External strains
First principle calculations
Optoelectronics devices
P-type
Schottky barriers
Schottky contacts
Si$-3$/N$-4$
Van der Waal
Turning electronic performance and Schottky barrier of graphene/beta-Si3N4 (0001) heterostructure by external strain and electric field
期刊论文
VACUUM, 2021, 卷号: 188
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Luo, Jianhua
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/06/03
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