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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The oxygen in- and out-diffusion behavior in melt-textured YBCO measured by thermogravimetry 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 7, 页码: 3380-3385 Zhang, YL; Xin, Y; Hong, Z; Jin, YP 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL DIFFUSION  SINGLE-CRYSTAL  RESISTANCE RELAXATION  TRACER DIFFUSION  YBA2CU3O7-DELTA  BA2YCU3O7-DELTA  SUPERCONDUCTOR  TRANSPORT  INTERCALATION  YBA2CU3O6+X   Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Lin, Q; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  DIFFUSION  OXIDATION  GERMANIUM  SILICON  ALLOYS   Exploration of a new wafer-level hermetic sealing method by Cu/Sn isothermal solidification technique for MEMS/NEMS devices 期刊论文 Micro- and Nanotechnology: Materials, Processes, Packaging, and Systems II, 2005, 卷号: 5650, 页码: 332-336 Du, MH; Xu, W; Luo, L 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 AU-IN  CU-SN  INTERDIFFUSION  SYSTEMS  COPPER  TIN   Characterization and field-emission property of aligned porous carbon nanotube film by hydrogen-ion implantation 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2005, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 169-172 Yu, WD; Zhang, JH; Wang, X; Li, XM; Gao, XD 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 INSULATOR MATERIAL TECHNOLOGY  SILICON  DEPOSITION  GROWTH  ARRAYS   Effect of ion-induced defects and oxygen concentration in annealing atmosphere on formation of buried oxide layer in SIMOX materials 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 305-309 Chen, J; Wang, X; Jin, B; Zhang, E; Sun, J; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTED SILICON  ISOTOPIC EXCHANGE  ON-INSULATOR  SI  TEMPERATURE  DIFFUSION