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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Simulation on advanced shallow junction technology with atomistic method 其他 2007-01-01 Yu, Min; Yuan, Li; Sui, Yi; Zhan, Kai; Huang, Ru; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan; Oka, Hideki 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Simulating enhanced diffusion and activation of boron by atomistic model 其他 2006-01-01 Yu, Min; Zhang, Xiao; Ren, Liming; Ji, Huihui; Zhan, Kai; Huang, Ru; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan; Zhang, Jinyu; Oka, Hideki 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Physical model for surface annihilation of silicon interstitials during annealing 其他 2006-01-01 Zhang, Xiao; Yu, Min; Zhan, Kai; Ren, Liming; Huang, Ru; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 A new damage model for ion implantation simulation with molecular dynamics method 其他 2004-01-01 Wang, R; Yu, M; Zhan, K; Shi, XK; Ji, HH; Zhang, JY; Oka, H 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 ion implantation  simulation  damage model  amorphous pockets  amorphization  SILICON  MORPHOLOGY   Defects in ion implantation and annealing studied by atomistic model 其他 2004-01-01 Yu, M; Wang, R; Ji, HH; Shi, XK; Zhan, K; Wang, YY; Zhang, JY; Oka, H 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 simulation  implantation  annealing  shallow junction  SILICON  SIMULATION   A new damage model for ion implantation simulation with molecular dynamics method 其他 2004-01-01 Wang, Rong; Yu, Min; Zhan, Kai; Shi, Xiaokang; Ji, Huihui; Zhang, Jinyu; Oka, Hideki 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Defects in ion implantation and annealing studied by atomistic model 其他 2004-01-01 Yu, Min; Wang, Rong; Ji, Huihui; Shi, Xiaokang; Zhan, Kai; Wang, Yangyuan; Zhang, Jinyu; Oka, Hideki 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13