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| 柱状纳米加热电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101572290, 申请日期: 2009-11-04, 公开日期: 2009-11-04 冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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| 相变存储器加热电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101567420, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28 冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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| 柱状相变材料纳米阵列及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101567421, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28 冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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| 一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101546728, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 2009-09-30 冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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| 低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101494196, 申请日期: 2009-07-29, 公开日期: 2009-07-29 宋志棠; 冯高明; 钟旻; 刘波; 封松林
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| 一种从含砷废渣中回收硫化砷的方法 专利 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2010 作者: 汤德元; 杨三可; 何勇岗; 刘松林; 冯胜波
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| 减小相变存储器加热电极面积的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1870314, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2006-11-29 吴良才; 宋志棠; 刘波; 冯高明; 封松林
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| 相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1845339, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11 张挺; 宋志棠; 冯高明; 刘波; 封松林; 陈邦明
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