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柱状纳米加热电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101572290, 申请日期: 2009-11-04, 公开日期: 2009-11-04
冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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相变存储器加热电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101567420, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28
冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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柱状相变材料纳米阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101567421, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28
冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101546728, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 2009-09-30
冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平
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低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101494196, 申请日期: 2009-07-29, 公开日期: 2009-07-29
宋志棠; 冯高明; 钟旻; 刘波; 封松林
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一种从含砷废渣中回收硫化砷的方法 专利
申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2010
作者:  汤德元;  杨三可;  何勇岗;  刘松林;  冯胜波
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减小相变存储器加热电极面积的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1870314, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2006-11-29
吴良才; 宋志棠; 刘波; 冯高明; 封松林
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相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1845339, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11
张挺; 宋志棠; 冯高明; 刘波; 封松林; 陈邦明
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