QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：纳米科技与材料物理::纳米材料与技术     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 HfO2–GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor using dimethylaluminumhydride-derived aluminum oxynitride interfacial passivation layer 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010 G. He + L. D. Zhang+ M. Liu+Z. Q. Sun 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/12/14 hfO2-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor using dimethylaluminumhydride-deived aluminum oxynitride interfacial passivation layer 期刊论文 applied physics letters, 2010 G. He; L. D. Zhang; M. Liu; Z. Q. Sun 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/05/04