QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：红外探测器材料与器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The dependence of InGaAs photodetectors' performance on area and perimeter of the PN junction 期刊论文 Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser, 2009, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 713-716 作者:  Zhang KF(张可锋) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/07/14 Effects of an anodic oxide passivation layer on mesa-type InGaAs (PIN) photodetectors 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 24, 页码: 15008 作者:  Zhang KF(张可锋) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/07/14 Effect of AlN passivation on mesa structured PIN InGaAs detector 期刊论文 Hongwai yu Jiguang Gongcheng/ Infrared and Laser Engineering, 2009, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 402-405 作者:  Zhang KF(张可锋) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/07/14