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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2005 [3]
2004 [2]
学科主题
微电子学 [5]
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学科主题:微电子学
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Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 565-570
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/17
SOIPMOSFET
Effects of techniques of implanting nitrogen into buried oxide on the characteristics of partially depleted SOIPMOSFET
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 654-656
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
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浏览/下载:109/0
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提交时间:2010/03/17
SCATTERING
Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/17
SOI
Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Li, N
;
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Fan, K
;
Zheng, ZS
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
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浏览/下载:127/22
  |  
提交时间:2010/03/29
SIMOX
fluorine
ionizing radiation
Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
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提交时间:2010/03/29
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