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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN 期刊论文 journal of materials science letters, 2003, 卷号: 22, 期号: 22, 页码: 1581-1583 Hu GQ; Kong X; Wang YQ; Wan L; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURES   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98 Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 Si(111) substrate  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   Hard magnetic properties of Sm3Fe26.7VxN4 and Sm3Fe26.7VxCy 期刊论文 journal of magnetism and magnetic materials, 1999, 卷号: 192, 期号: 2, 页码: 314-320 Han XF; Zhang MC; Qiao Y; Yang FM; Yang CP; Liu GC; Wang YZ; Hu BP 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 hard magnetic properties  coercivity  remanence  magnetic energy product  ND  SM  CR  GD  MN  EXCHANGE  R=CE  T=TI  X=H  TERNARY PHASE   The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process 会议论文 symposium on nitride semiconductors, at the 1997 mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 1997 Zheng LX; Liang JW; Yang H; Li JB; Wang YT; Xu DP; Li XF; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255 Zheng LX; Yang H; Xu DP; Wang XJ; Li XF; Li JB; Wang YT; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrides  MOCVD  surface morphology  growth mechanism  PHASE EPITAXY  GAAS  OSCILLATIONS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY