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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2009 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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学科主题:半导体材料
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Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
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提交时间:2010/03/08
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