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科研机构
半导体研究所 [15]
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期刊论文 [14]
会议论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2013 [2]
2012 [2]
2011 [1]
2006 [2]
2002 [1]
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学科主题
半导体材料 [15]
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共15条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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75
80
85
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Integrated Four-Wavelength DFB Diode Laser Array for Continuous-Wave THz Generation
期刊论文
ieee photonics journal, 2016, 卷号: 8, 期号: 4
Mengdie Sun
;
Shaoyang Tan
;
Fei Guo
;
Songtao Liu
;
Qiang Kan
;
Dan Lu
;
Ruikang Zhang
;
Wu Zhao
;
Song Liang
;
Wei Wang
;
Ronald Broeke
;
Francisco M. Soares
;
Chen Ji
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2017/03/10
InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes with active multimode interferometer configuration
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 048102
Li Xin-Kun
;
Jin Peng
;
Liang De-Chun
;
Wu Ju
;
Wang Zhan-Guo
收藏
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浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2013/09/17
InAsGaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes by Using with active multimode interferometer configuration
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 048102
Li Xin-Kun, Jin Peng, Liang De-Chun, Wu Ju, Wang Zhan-Guo
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2014/03/18
InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 028102
Li, Xin-Kun
;
Liang, De-Chun
;
Jin, Peng
;
An, Qi
;
Wei, Heng
;
Wu, Jian
;
Wang, Zhan-Guo
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2013/04/19
InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 28102
Li, XK
;
Liang, DC
;
Jin, P
;
An, Q
;
Wei, H
;
Wu, J
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Short-wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 108503
Liang, DC
;
An, Q
;
Jin, P
;
Li, XK
;
Wei, H
;
Wu, J
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/02/06
InAlGaAs quantum dot
superluminescent diode
optical coherence tomography
short wavelength
OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY
RESOLUTION
MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/04/11
metamorphic
long wavelength
quantum dots
molecular beam epitaxy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
1.3 MU-M
GAAS
EMISSION
RANGE
ISLANDS
ARRAYS
LASERS
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:105/0
  |  
提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
III-V semiconductors
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE-QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
BEHAVIOR
LAYER
Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
rapid thermal annealing
InGaAs/GaAs
quantum dots
molecular beam epitaxy
LUMINESCENCE
FABRICATION
GAAS(100)
INTERFACE
LASER
LAYER
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