QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of Back Diffusion of Mg Dopants on Optoelectronic Properties of InGaN-Based Green Light-Emitting Diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2016, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 117302 Ning Zhang; Xue-Cheng Wei; Kun-Yi Lu; Liang-Sen Feng; Jie Yang; Bin Xue; Zhe Liu; Jin-Min Li and Jun-Xi Wang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/16 Selective Area Growth and Characterization of GaN Nanorods Fabricated by Adjusting the Hydrogen Flow Rate and Growth Temperature with Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2016, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 068101 Peng Ren; Gang Han; Bing-Lei Fu; Bin Xue; Ning Zhang; Zhe Liu; Li-Xia Zhao; Jun-Xi Wang; Jin-Min Li 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/16 Reduction of Efficiency Droop and Modification of Polarization Fields of InGaN-Based Green Light-Emitting Diodes via Mg-Doping in the Barriers 期刊论文 chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 087101 ZHANG Ning, LIU Zhe, SI Zhao, REN Peng, WANG Xiao-Dong, FENG Xiang-Xu, DONG Peng, DU Cheng-Xiao, ZHU Shao-Xin, FU Bing-Lei, LU Hong-Xi, LI Jin-Min, WANG Jun-Xi 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09