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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Insight into the effect of ligand-exchange on colloidal CsPbBr3 perovskite quantum dot/mesoporous-TiO2 composite-based photodetectors: much faster electron injection 期刊论文 Journal of Materials Chemistry C, 2017, 卷号: 5, 页码: 6224--6233 作者:  Lin Zhou;  Kai Yu;  Fan Yang;  Hui Cong;  Nan Wang 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/07/09 Ultrathin Broadband Germanium−Graphene Hybrid Photodetector with High Performance 期刊论文 ACS Applied Materials & Interfaces Research, 2017, 卷号: 9, 页码: 13422−13429 作者:  Fan Yang;  Hui Cong;  Kai Yu;  Lin Zhou;  Nan Wang 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/07/02 All-inorganic perovskite quantum dot/mesoporous TiO2 composite-based photodetectors with enhanced performance 期刊论文 Dalton Transactions, 2017, 卷号: 46, 页码: 1766–1769 作者:  Lin Zhou;  Kai Yu;  Fan Yang;  Jun Zheng;  Yuhua Zuo 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/07/09 Silicon based GeSn p-i-n photodetector for SWIR detection 期刊论文 ieee photonics journal, 2016, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 6804706 Hui Cong; Chunlai Xue; Jun Zheng; Fan Yang; Kai Yu; Zhi Liu; Xu Zhang; Buwen Cheng; Qiming Wang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique 期刊论文 guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033 Zhou, Zhi-Wen; He, Jing-Kai; Li, Cheng; Yu, Jin-Zhong 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/06/13 Atomic force microscopy  Atomic spectroscopy  Chemical vapor deposition  Diffraction  Epitaxial growth  Germanium  Raman spectroscopy  Semiconducting silicon compounds  Substrates  Surface morphology  Ultrahigh vacuum  X ray diffraction   Energy band design for Si/SiGe quantum cascade laser 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4137-4142 Lin GJ (Gui-Jiang, Lin); Zhou ZW (Zhou Zhi-Wen); Lai HK (Lai Hong-Kai); Li C (Li Cheng); Chen SY (Chen Song-Yan); Yu JZ (Yu Jin-Zhong) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/29 SiGe material