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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H–SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO 期刊论文 Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 107101 作者:  Zhan-Wei Shen;  Feng Zhang;  Sima Dimitrijev;  Ji-Sheng Han;  Guo-Guo Yan 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/06/15