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Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA/物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2780-2785
作者:  Lin, HF;  Xie, EQ;  Ma, ZW;  Zhang, J;  Peng, AH
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