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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Novel Sn-assisted nitridation of Ge/HfO2 interface and improved electrical properties of the MOS capacitor 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 41301 作者:  赵梅;Zhao, M;  Liu, L;  Liang, RR;  Wang, J;  Xu, J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/04/08