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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Size distributions of quantum islands on stepped substrates 期刊论文 journal of chemical physics, 2009, 卷号: 131, 期号: 15, 页码: art.no.154704 Liang S (Liang, S.); Zhu HL (Zhu, H. L.); Wang W (Wang, W.) 收藏  |  浏览/下载：305/92  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 self-assembled quantum dots  indium arsenide  bimodal size distribution  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MU-M  ISLANDS  DENSITY  EPITAXY  LASER   Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文 10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Lan Q; Kong YC; Zhou DY; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 molecular beam epitaxy  InGaAs islands  photolumineseence  line-width  1.3 MU-M  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  OPTICAL-PROPERTIES  CAP LAYER  GAAS  LUMINESCENCE  STRAIN   Improvement of Ge self-organized quantum dots by use of Sb surfactant 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 20, 页码: 2541-2543 Peng CS; Huang Q; Cheng WQ; Zhou JM; Zhang YH; Sheng TT; Tung CH 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  CONFINEMENT  TEMPERATURE  ISLANDS  SI(001)   Optical properties of Ge self-organized quantum dots in Si 期刊论文 physical review b, 1998, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 8805-8808 Peng CS; Huang Q; Cheng WQ; Zhou JM; Zhang YH; Sheng TT; Tung CH 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SUPERLATTICES  CONFINEMENT  ISLANDS  SI(001)