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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  NITROGEN  LUMINESCENCE  PRESSURE  STATES  ENERGY   Optical properties of InAs self-organized quantum dots in n-i-p-i GaAs superlattices 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 15, 页码: 2035-2037 Wang JZ; Wang ZM; Wang ZG; Yang Z; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 FIELD  PHOTOLUMINESCENCE   Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors 期刊论文 solid-state electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 723-727 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTODETECTOR   Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors 会议论文 1997 ieee hong kong electron devices meeting, hong kong, hong kong, 35672 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Luo CP; Xu JZ; Ge WK; Zhang PH; Yang XP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MONOLAYER-FLAT ISLANDS  SEMICONDUCTOR INTERFACES  EXCITON TRANSFER  TEMPERATURE  LINEWIDTH  DYNAMICS