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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2002 [2]
2001 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962
Ng YF
;
Cao YG
;
Xie MH
;
Wang XL
;
Tong SY
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
MISFIT DISLOCATIONS
DEFECTS
INGAN
GAN
REDUCTION
INDIUM
LAYERS
FILMS
Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEPOSITION
LAYERS
FILMS
Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 796-800
Qu B
;
Li SF
;
Hu GX
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:91/3
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提交时间:2010/08/12
GaN
polarity
surface roughness
FILMS
STABILITY
GROWTH
Observation of "ghost" islands and surfactant effect of surface gallium atoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
期刊论文
physical review letters, 2000, 卷号: 85, 期号: 11, 页码: 2352-2355
Zheng LX
;
Xie MH
;
Seutter SM
;
Cheung SH
;
Tong SY
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
GAN(0001)
FILMS
Photoluminescence study of InAs/GaAs self-organized quantum dots with bimodal size distribution
期刊论文
chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 384-388
Guo ZS
;
Wang HL
;
Ning D
;
Feng SL
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRONIC-STRUCTURE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CARRIER RELAXATION
GROWTH
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