QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Wang H (Wang Hui); Chen GF (Chen Gui-Feng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：130/35  |  提交时间：2010/03/08 GaN   The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：83/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium nitride crack  low temperature aluminum nitride  interlayer  silicon   The growth of high-Al-content InAlGaN quaternary alloys by RF-MBE 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 765-768 Wang BZ; Wang XL; Wang XY; Guo LC; Wang XH; Xiao HL; Liu HX 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/29 LIGHT-EMITTING-DIODES