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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mechanical and chemical bonding properties of ground state BeH2 期刊论文 european physical journal b, 2010, 卷号: 74, 期号: 3, 页码: 303-308 Wang BT; Zhang P; Shi HL; Sun B; Li WD 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/04/28 BERYLLIUM HYDRIDE  AB-INITIO  MGH2   Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文 acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2010/04/22 Twinning  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular dynamics  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AB-INITIO CALCULATIONS  BETA-SIC NANOWIRES  LOW-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SIMULATION  ELASTICITY  NANOTUBES  POLYTYPES  GROWTH   Electronic properties of GaAs/GayIn1-yNxAs1-y-xSby superlattices 期刊论文 physical review b, 2003, 卷号: 68, 期号: 23, 页码: art.no.235326 Niu, ZC; Ni, HQ; Xu, XH; Zhang, W; Xu, YQ; Wu, RH 收藏  |  浏览/下载：52/22  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Structural characterization of stable amorphous silicon films 期刊论文 solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 283-286 Zhang SB; Kong GL; Wang YQ; Sheng SR; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  thin film  photoconductivity and photovoltaics  CONDUCTIVITY  SI   Influence of dual incorporation of In and N on the luminescence of GaInNAs/GaAs single quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 25, 页码: 4148-4150 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN   Annealing behaviors of photoluminescence from SiOx : H 期刊论文 journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: 7934-7939 Ma ZX; Liao XB; He J; Cheng WC; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE  VISIBLE-LIGHT EMISSION  RAMAN-SCATTERING  GLOW-DISCHARGE  LUMINESCENCE  CONFINEMENT  SPECTRA  ORIGIN  FILMS  BONDS