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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman scattering study on Ga1-xMnxAs prepared by Mn ions implantation, deposition and post-annealing 期刊论文 crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220 Islam MR; Chen NF; Yamada M 收藏  |  浏览/下载：224/44  |  提交时间：2010/03/08 Raman scattering  ferromagnetic  semiconductor  GaMnAs  Mn ions implantation  deposition   Thermodynamic properties of Cu-3(CO3)(2)(OH)(2) and the spin-1/2 distorted diamond Heisenberg chain 期刊论文 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113907 Li, YC 收藏  |  浏览/下载：49/2  |  提交时间：2010/03/08 MATRIX RENORMALIZATION-GROUP  GROUND-STATE  AZURITE  FERRIMAGNET  CU3(OH)2(CO3)2  TEMPERATURE   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS