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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study 期刊论文 european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444 Shi HL; Duan Y 收藏  |  浏览/下载：151/26  |  提交时间：2010/03/08 SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES  ZINCBLENDE  OFFSETS  GAASN  CDTE  BEO   MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOCVD  GaN  InGaN  cubic  LED  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  INGAN FILMS  ELECTROLUMINESCENCE  ZINCBLENDE  WURTZITE  MBE