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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2004 [1]
2003 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988
Lu Y
;
Cong GW
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Zhu QS
;
Wang XH
;
Wu JJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:78/29
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提交时间:2010/03/09
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:299/12
  |  
提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconductor III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INTERMEDIATE LAYER
ALAS
ALN
SURFACES
SILICON
FILMS
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
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