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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Temperature dependence of effective g factor in diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 5, 页码: art. no. 053901
Zhou, R
;
Sun, BQ
;
Ruan, XZ
;
Luo, HH
;
Ji, Y
;
Wang, WZ
;
Zhang, F
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:51/2
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提交时间:2010/03/08
GAAS
HETEROSTRUCTURES
ALLOYS
Investigation on Fe, Mn, Zn, Cu, Pb and Cd fractions in the natural surface coatings sampled and surficial sediments collected in the Songhua River, China
期刊论文
journal of environmental sciences, 2006, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1193-1198
Guo Shuhai
;
Wang Xiaoli
;
Li Yu
;
Chen Jiejiang
;
Yang Juncheng
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/23
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 期号: 0, 页码: 287-290
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOVPE
GaN
GaN Buffer
heavy Si-doping
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
会议论文
2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2010/11/15
MOVPE
GaN
GaN Buffer
heavy Si-doping
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