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科研机构
半导体研究所 [9]
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会议论文 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Comparative study of the surface passivation on crystalline silicon by silicon thin films with different structures
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 1, 页码: 61-64
Zhao L
;
Diao HW
;
Zeng XB
;
Zhou CL
;
Li HL
;
Wang WJ
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浏览/下载:213/74
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提交时间:2010/04/04
Silicon thin film
HIT solar cell
Surface passivation
HETEROJUNCTION SOLAR-CELLS
HOT-WIRE CVD
YDROGEN DILUTION
N-TYPE
SPECTROSCOPY
OPTIMIZATION
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Time-resolved photoluminescence of sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot-quantum-well heterostructures
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5367-5371
Xu ZC
;
Jia GZ
;
Sun L
;
Yao JH
;
Xu JJ
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浏览/下载:73/20
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提交时间:2010/03/17
sub-monolayer
Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped GaSb
期刊论文
physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290
Hu WG
;
Wang Z
;
Su BF
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:177/66
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提交时间:2010/03/09
GaSb
Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 898-902
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Wang XG
;
Chang Y
;
Chu JH
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浏览/下载:134/8
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR
CARRIER DENSITY
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 189-192
作者:
Yu F
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
solid phase epitaxy
silicon on sapphire (SOS)
carrier mobility
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
international conference on advanced materials: sympopsium m - silicon-based materials and devices, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Yu F
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
solid phase epitaxy
silicon on sapphire (SOS)
carrier mobility
METASTABLE DEFECT IN AMORPHOUS-SILICON SOLAR-CELLS INVESTIGATED BY JUNCTION RECOVERY TECHNIQUE
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 1991, 卷号: 128, 期号: 1, 页码: 86-90
ZHANG Q
;
LI FD
;
LIAO XB
;
KONG GL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
LIFETIME
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