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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
专利 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作
期刊论文
光子学报, 2012, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 299-302
马丽,朱洪亮,陈明华,张灿,王宝军,边静
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/06/03
基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
郭菲
;
陆丹
;
张瑞康
;
王会涛
;
王圩
;
吉晨
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提交时间:2016/09/22
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