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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2005 [1]
2000 [1]
1995 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Time-resolved photoluminescence of sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot-quantum-well heterostructures
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5367-5371
Xu ZC
;
Jia GZ
;
Sun L
;
Yao JH
;
Xu JJ
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浏览/下载:73/20
  |  
提交时间:2010/03/17
sub-monolayer
Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
molecular beam epitaxy
photoluminescence
LINE-SHAPE
PROCESS OF PHOTOLUMINESCENCE AND PHOTOSTIMULATED LUMINESCENCE IN BAFBR-EU PHOSPHORS
期刊论文
journal of materials science & technology, 1995, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 388-390
CHEN W
;
SU MZ
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/17
BAFBR-EU-2+
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