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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  DISLOCATION SCATTERING  LAYER THICKNESS  INDIUM NITRIDE  BAND-GAP  VACANCIES   360-nm Photoluminescence from Silicon Oxide Films Embedded with Silicon Nanocrystals 期刊论文 semiconductor photonics and technology, 2006, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 90-94 Yang Linlin; Guo Hengqun; Zeng Youhua; Wang Qiming 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 Nonlinear optical response of nc-Si-SiO2 films studied with femtosecond four-wave mixing technique 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 2989-2992 Guo HQ (Guo Heng-Qun); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 3RD-ORDER  TIME  GAAS   Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching 期刊论文 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235 作者:  Yang H;  Zhu JJ;  Yang H;  Wang H;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION   Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101 Sun, Q (Sun, Q.); Wang, H (Wang, H.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Jin, RQ (Jin, R. Q.); Huang, Y (Huang, Y.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Yang, H (Yang, H.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, KH (Ploog, K. H.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 LIGHT-EMITTING-DIODES   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Origin and evolution of photoluminescence from Si nanocrystals embedded in a SiO2 matrix 期刊论文 physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 19, 页码: art.no.195313 Wang XX; Zhang JG; Ding L; Cheng BW; Ge WK; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：152/43  |  提交时间：2010/03/17 SILICON NANOCRYSTALS   Frequency limitation in the calibration of microwave test fixtures 期刊论文 ieee transactions on microwave theory and techniques, 2003, 卷号: 51, 期号: 9, 页码: 2000-2006 Zhu NH; Qian C; Wang YL; Pun EYB; Chung PS 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 calibration  deembedding  microwave network analyzer  scattering parameter measurement  test fixture  NETWORK-ANALYZER CALIBRATION