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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2000 [1]
1994 [1]
学科主题
光电子学 [2]
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学科主题:光电子学
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The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193
Wang HL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Wang H
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Feng SL
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提交时间:2010/08/12
atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
deep level transient spectroscopy
deep level defects
DISLOCATION DENSITY
IRRADIATION
CHARACTERIZATION OF HIGH FLUENCE NEUTRON-INDUCED DEFECT LEVELS IN HIGH-RESISTIVITY SILICON DETECTORS USING A LASER DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY (L-DLTS)
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1994, 卷号: 342, 期号: 1, 页码: 137-142
LI CJ
;
LI Z
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提交时间:2010/11/15
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