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科研机构
半导体研究所 [21]
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2014 [1]
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学科主题
光电子学 [21]
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学科主题:光电子学
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The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer
期刊论文
CrystEngComm, 2017, 卷号: 19, 页码: 4330–4337
作者:
Gaoqiang Deng
;
Yuantao Zhang
;
Zhen Huang
;
Long Yan
;
Pengchong Li
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/11/30
In situ plankton and fish detection based on optical gated sampling
期刊论文
applied optics, 2016, 卷号: 55, 期号: 18, 页码: 4850-4855
XIAOQUAN LIU
;
XINWEI WANG
;
YAN ZHOU
;
YULIANG LIU
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/03/16
Strained GeSn p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors With In Situ
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2014, 卷号: 61, 期号: 11, 页码: 3639-3645
Liu, Yan
;
Yan, Jing
;
Wang, Hongjuan
;
Zhang,Qingfang
;
Liu, Mingshan
;
Zhao, Bin
;
Zhang, Chunfu
;
Cheng, Buwen
;
Hao, Yue
;
Han, Genquan
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/03/20
In situ formation of indium catalysts to synthesize crystalline silicon nanowires on flexible stainless steel substrates by PECVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 347, 期号: 1, 页码: 7-10
Xie, XB
;
Zeng, XB
;
Yang, P
;
Wang, C
;
Wang, QM
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/17
Enhancement of electroluminescence in p-i-n structures with nano-crystalline Si/SiO2 multilayers
期刊论文
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: art. no. 015013
Chen DY
;
Wei DY
;
Xu J
;
Han PG
;
Wang X
;
Ma ZY
;
Chen KJ
;
Shi WH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:45/1
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提交时间:2010/03/08
SILICON NANOCRYSTALS
Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications
会议论文
6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006
Sun, G (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Liu, X (Liu, Xingfang)
;
Zhao, Y (Zhao, Yongmei)
;
Li, J (Li, Jiaye)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Zhao, W (Zhao, Wanshun)
;
Wang, L (Wang, Liang)
收藏
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浏览/下载:89/29
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提交时间:2010/03/29
polycrystalline 3C-SiC
resonator
doping
SILICON-CARBIDE
Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers
期刊论文
physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891
Jiang, DS (Jiang, De-Sheng)
;
Zhao, DG (Zhao, De-Gang)
;
Yang, H (Yang, Hui)
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
The influence of V/III ratio in the initial growth stage on the properties of GaN epilayer deposited on low temperature AlN buffer layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 414-418
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Yang H
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/29
V/III ratio
Stress reduction in GaN films on (111) silicon-on-insulator substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 22, 页码: 4416-4419
Sun JY (Sun Jiayin)
;
Chen J (Chen Jing)
;
Wang X (Wang Xi)
;
Wang JF (Wang Jianfeng)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/29
chemical vapor deposition
Stress evolution influenced by oxide charges on GaN metal-organic chemical vapor deposition on silicon-on-insulator substrate
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2007, 卷号: 89, 期号: 1, 页码: 177-181
Sun J
;
Chen J
;
Wang X
;
Wang J
;
Liu W
;
Zhu J
;
Yang H
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/29
GROWTH
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