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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
1996 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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发表日期:1996
学科主题:半导体材料
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A surface structure model for Si(337)
期刊论文
applied surface science, 1996, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 217-219
Hu XM
;
Wang EG
;
Xing YR
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/17
low energy electron diffraction (LEED)
surface structure
stepped single crystal surfaces
SI(113) SURFACE
GROWTH
SI
Photoluminescence of GaInP under high pressure
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 7177-7182
Dong JR
;
Li GH
;
Wang ZG
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Li XB
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Wang ZJ
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/11/17
VAPOR-PHASE EPITAXY
HYDROSTATIC-PRESSURE
ORDERED GA0.5IN0.5P
GROWTH TEMPERATURE
DEPENDENCE
GAP
SPECTRUM
ENERGY
Ordering along <111> and <100> directions in GaInP demonstrated by photoluminescence under hydrostatic pressure
期刊论文
applied physics letters, 1996, 卷号: 68, 期号: 12, 页码: 1711-1713
Dong JR
;
Wang ZG
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Li XB
;
Sun DZ
;
Wang ZJ
;
Kong MY
;
Li GH
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/17
VAPOR-PHASE EPITAXY
GA0.5IN0.5P
DEPENDENCE
SPECTRUM
ENERGY
GROWTH
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